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　　今天在市场上发现了一款很有意思的，和传统意义上的芯片所不一样的是，它的检测方式有所不同。它的名字叫做高端点电流检测芯片FP135，丝印是BWXXX，是台湾远翔所设计生产的一款电流检测

　　一般使用电流通过时的压降为数十mV～数百mV的电阻值，电流检测用低电阻器使用数Ω以下的较小电阻值；测量电流时， 通常会将电阻放在电路中的两个位置。

　　通常放置感测电阻的第二个位置是放在负载和接地端之间。这种电流感测方法称为低侧电流感测。

　　低侧电流测量的优点之一是共模电压， 即测量输入端的平均电压接近于零。这样更便于设计应用电路， 也便于选择适合这种测量的器件。

　　低侧电流感测电路测得的电压接近于地， 在处理非常高的电压时、 或者在电源电压可能易于出现尖峰或浪涌的应用中，优先选择这种方法测量电流。

　　负载电流（IS）从电源流出，并在感测电阻（RS）处产生电压差（VIN+ - VIN-）。假设内部MOSFET漏电流与源电流（IO）相同，且VIP非常接近，则FP135传递函数为：

　　（VIN+ - VIN-）等于IS×RS，输出电压（OUT）等于IO x RL。本应用高端点电流测量的最终传递函数为：

　　VCC、VIP和VIN的最小工作电压为3.3V。如果这些电源电压低于3.3V，则FP135输出处的传递函数就不再适用。

　　VIP和VIN之间的最大电压差为±6V。如果（VIP-VIN）超过±6V，则会导致损坏。

　　当感应电阻（RS）发生瞬态电压时，集成电路将改变源电流（IO）改为输出端，并在输出端产生电压变化，RC电路将在输出更改期间延迟一段时间。下图显示了FP135一种延迟转换时间的简单方法。

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　　技术常用于高压短路保护、电机控制、DC/DC换流器、系统功耗管理、二次电池的

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　　侦测等场景。对于大多数应用而言，都是间接测量电阻两端的跨压差来获取待测

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　　测量IC。它适用于电源系统，如电池充电器或开关电源的应用。它包括一个差分输入放大器和一个带有源输出的MOSFET。有三个外部电阻，轨道

　　，它包含一个差分输入放大器和一个具有发射极输出的NPN晶体管,可以把偵测到的電流转成电压信号供给其他线

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